Источники опорных напряжений. Источник опорного напряжения TL431 Объем и доля прецизионных источников питания

Параметры и особенности применения

Цель настоящей статьи — помочь разработчику устройств, включающих прецизионные источники опорного напряжения, получить максимально возможное качество изделия за самое короткое время. Основное содержание статьи — как выбрать из широкой номенклатуры таких источников наиболее соответствующий поставленной задаче и уже на начальном этапе максимально учесть влияющие факторы, которые нередко всплывают только на стадии заключительных испытаний. Приведенные в тексте численные данные конкретных приборов четырех ведущих производителей опорных источников напряжения позволяют сориентироваться в достигнутом уровне.

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ ИСТОЧНИКОВ ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ.

Прецизионные источники опорного напряжения (ИОН) нужны во многих случаях, и область их применения постоянно расширяется. Это измерительные приборы, системы связи, даже зарядные устройства литиевых батарей, но
чаще всего необходимость в них возникает при построении аналогово-цифровых преобразователей (АЦП), представляющих на выходе отношение входного напряжения к опорному в цифровой форме и цифро-аналоговых (ЦАП), на выходе которых получают напряжение опорного источника в масштабе, определяемом кодом на его цифровом входе. Некоторые из таких приборов имеют встроенный опорный источник, некоторым необходим внешний, часто прибор может работать как с внешним, так и внутренним источником. Сегодня 12-разрядная точность ЦАП и АЦП стала довольно обычной. Граница 20 разрядов пройдена более 10 лет назад. Еще в 80-е годы Минский завод “Эталон” серийно производил измерительную систему АКСАМИТ разработки В.М. Малышева с раз-
решением АЦП в 22 разряда. Сегодня целый ряд фирм производят 24 разрядные интегральных АЦП, реальное разрешение которых достигает 22 разрядов. В интегральных ЦАП достигнутый на сегодняшний день уровень — 18 разрядов. В какой степени параметр разрешение будет реализован в точности измерения или воспроизведения напряжения в значительной степени зависит от источника опорного напряжения. Стоимость ИОН обычно составляет малую часть системы в целом, но может оказать существенное влияние на ее результирующие характеристики, поэтому нет особого смысла экономить на этом нем . Кроме того, нередко система включает несколько устройств с собственными ИОН и для снижения общей погрешности системы целесообразно использовать один ИОН для всех устройств. Далее рассматривается ряд важных особенностей ИОН и их применения в основном применительно к отдельным приборам этого вида, хотя многие положения в такой же степени относится и к встроенным ИОН.
Тенденция к увеличению точности всегда в измерительной техники существовала всегда, далее речь идет о весьма высоких точностях, и уровень достигнутого целесообразно оценить по достигнутому мировой метрологией.

ДОСТИГНУТАЯ ТОЧНОСТЬ ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЙ

Начиная с 1972 года во всем мире национальные эталоны напряжения строятся на базе открытого в 1962 года квантового эффекта Джозефсона. Без учета фундаментальной константы Джозефсона приведенная относительная
погрешность составляет 5х10 -9 , константа известна с точностью до 4х10 -7 . Однако это сложная стационарная установка, основной элемент которой работает при температуре 4,2 К и в качестве эталона сравнения напряжения в метрологической практике используются известные еще с 19 века гальванические нормальные элементы, или по имени их изобретателя — Вестона (Weston) с э.д.с. 1,018 В с среднеквадратичным отклонением менее 5х10 -8, групповой нестабильностью 6х10 -7 в год. К сожалению, эти приборы очень чувствительны к внешним условиям, тряске и температуре. При 20°C температурный коэффициент составляет -40,6 мкВ/°C. После изменения температуры требуется для достижения такой точности требуется значительное время, иногда до месяца. Для сравнения с полупроводниковыми источниками опорного напряжения эти величины удобнее выразить в относительных единицах, обычно используемых в справочных данных на такие приборы — ppm (промил). 1 ppm — миллионная
доля измеряемой величины. Таким образом, среднеквадратичное отклонение напряжения нормального элемента 0,05 ppm, годовая нестабильность 0,6 ppm, температурный коэффициент около -40 ppm .

ИОНы НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Зенеровский переход

В полупроводниковой электронике для получения стабильного напряжения чаще всего используют обратную ветвь вольтамперной характеристики p-n перехода с Зенеровским пробоем. Зенеровский пробой происходит при напряжениях примерно от 5 до 10 В. Для получения хороших метрологических характеристик требуется ток через переход не менее нескольких десятых мА.. Получаемое таким путем напряжение имеет положительный температурные коэффициент, зависящий от напряжения Зенеровского пробоя данного перехода и тока через него. Для его компенсации в прецизионных Зенеровских стабилитронах последовательно с Зенеровским включают прямосмещенные диоды, обладающие отрицательным температурным коэффициентом. В отечественном прецизионном стабилитроне Д818 таких переходов 3. Выбором протекающего тока удается существенно улучшить термостабильность. Часто в
технических описаниях встречается термин «buried Zener». Он отражает технологический прием, когда для повышения стабильности переход формируется под поверхностью полупроводникового кристалла и отделен от нее защитным диффузионным слоем, что позволяет снизить влияние механических напряжений, загрязнений и нарушений кристаллической решетки, которые сильнее всего проявляются на поверхности. Лучшие результаты с использованием Зенеровского стабилитрона достигнуты мировым лидером в области калибраторов Fluke Corp. Модель калибратора 734А, использующая специально разработанную фирмой микросхему, которая не продается отдельно, и термостабилизацию, имеет при таком же как у нормального элемента напряжении стабильность 0,8 ppm/месяц и 2 ppm/год, температурную зависимость 0,1 ppm/°C, т.е. сравнимы с нормальным элементом .
Лучшие интегральные источники опорного напряжения ведущих производителей полупроводников, выпускаемые серийно, имеют сравнимые характеристики. Например, ADR292 имеет временную нестабильность 0,2 ppm/1000
часов, т.е. почти за полтора месяца, а температурный коэффициент 5…25 ppm/°C, REF102 до 2,5 ppm/°C с возможностью подстройки, MAX671 температурную зависимость менее 1 ppm/°C без термостатирования. Многие прецизионные интегральные схемы опорных источников напряжения имеют встроенные датчики температуры кристалла, позволяющие значительно улучшить температурную стабильность результатов измерения одним из двух путей: строить прецизионные стабилизаторы температуры или программно корректировать результаты измерений. Некоторые ИОНы имеют встроенные нагреватели (LT1019).
Следует отметить, что все полупроводниковые ИОН обладают гистерезисом по температуре, т.е. при возвращении к первоначальной температуре после нагрева или охлаждения, величина опорного напряжения возвращается к прежней величине с некоторой погрешностью. Минимальное значение имеет порядок 20 ppm (MAX6225). К сожалению, чаще всего производитель не указывает эту величину. Чтобы избежать этой погрешности в калибраторе Fluke 734A ИОН всегда находится при постоянной температуре, и для термостатирования при перевозке предусмотрен аккумулятор, рассчитанный на 36 часов непрерывной работы. Если необходимо большее опорное напряжение, чем обеспечивает Зенеровский пробой, стабилитроны могут включаться последовательно, причем специальный подбор стабилитронов в группы позволяет снизить суммарный температурный коэффициент. Лучшие в мире результаты на этом пути достигнуты российской фирмой «Мегавольт-Метрология» в установке DWINA-1000, поставленной испытатель-
ному центру IREQ в Канаде. Максимальное напряжение 1000000 В, основной погрешностью 20 ppm и температурной в диапазоне от 15°C до 35°C 2,5 ppm (отметим что это не градиент, а максимальное изменение в данном диапазоне
температур) . Однако значительно чаще требуются напряжения меньшие напряжения Зенеровского пробоя. Очевидным и используемым путем является прецизионное деление напряжения, полученного на Зенеровском стабилитроне, как это сделано в AD584, имеющем одновременно выходы 10 В, 5 В и 2,5 В. BANDGAP
Другим стандартным путем получения опорных напряжений ниже уровней Зенеровского пробоя является использование известных с 1970 года “bandgap” схем . Этот термин, не имеющий общепринятого русского эквивалента, можно перевести как “барьерный потенциал p-n перехода”. Упрощенная принципиальная схема такого прибора представлена на рис.1.

Рис.1. Получение стабильного опорного напряжения в bandgap схеме.

Здесь транзисторная пара создает на резисторе R1. Падение напряжения пропорциональное абсолютной температуре, которое компенсирует отрицательный температурный коэффициент напряжения база-эмиттер транзистора VBE. Выходное напряжение схемы VZ определяется через постоянную Больцмана к, заряд электрона q, абсолютную температуру Т и отношение плотностей тока эмиттеров транзисторов:
V Z =V BE + 2ΔV BE R1/R2 где ΔV BE = kT/q x lnJ1/J2
При равных эмиттерных токах и площади эмиттера первого транзистора в 8 раз больше второго, нулевой температурный коэффициент V Z достигается при его значении 1,205В, что соответствует барьерному напряжению p-n перехода, экстраполированному на температуру абсолютного нуля, с чем связано название прибора. Включение делителя напряжения между выходом усилителя и базами транзисторов позволяет получить большие значения V Z . Температурно- зависимое напряжение на R1 используется для измерения температуры кристалла, как например в AD780 . Поскольку значение VBE обратно пропорционально, а компенсирующая величина прямо пропорциональна абсолютной температуре, точность компенсации зависит от температуры, а для устройства в целом от рабочего диапазона температур. В зависимости от последнего температурная погрешность может указываться изготовителем весьма малой, например, 3 ppm/°C (REF01). Этот вид приборов отличается существенно меньшим потреблением энергии, что особенно важно для применения в мобильных изделиях. Например, семейство LT1634 с напряжениями
1,25 В, 2,5 В, 4,096 В и 5 В потребляет всего 10 мкА при начальной точности 0,2%, термостабильности 25 ppm/°C и минимальной разнице входного и выходного напряжений 0,9 В. Приборы выпускаются в двух схемотехнических вариантах. Двухвыводной или параллельный (shunt) с внешними вольтамперными характеристиками, подобными стабилитрону. Они требуют внешнее токоограничивающее устройство, например резистор. Трехвыводной

(в принципе, но фактически может иметь больше выводов) или последовательный (series)
обеспечивает втекающий и вытекающий в ИОН токи без внешних компонентов и ток через внутреннюю схему опорного напряжения, в отличие от первого варианта, независим от нагрузки. Отметим что ИОНы на базе Зенеровского пробоя выпускаются только по второму варианту. Эквивалентом первого являются прецизионные стабилитроны.

ТЕХНОЛОГИЯ XFET™

Новым способ получения стабильных опорных напряжений запатентовала компания Analog Devices . Разность напряжений около 0,5 В с точно определенным диэлектрической постоянной кремния отрицательным темпера-
турным коэффициентом порядка 120 ppm/°C получают на стоках двух полевых транзисторов с изоляцией затвора p-n переходом (рис.2)

Рис.2. Получение стабильного опорного напряжения в XFET схеме.

имеющих разные напряжения отсечки и работающих при одинаковых токах стока. Конструктивно FET1 и FET2 отличаются только конфигурацией затворов. Точная температурная компенсация достигается применением пропорциональным температуре источником тока IPTAT. Выходное напряжение схемы определяется выражением:
V OUT = ΔV P (R1 + R2 + R3)/R1 + IPTAT R3 Главные преимущества XFET перед bandgap приборами беспрецедентная временная стабильность 0,2 ppm за 1000 часов, примерно в 4 раза меньший шум при стабильности и экономичности того же порядка, что достигается благодаря работе на основных носителях тока. Изобретение реализовано в приборах последовательного типа ADR290, ADR291, ADR292, ADR293 с напряжениями 2,048 В, 2,5 В, 4,096 В и 5 В, соответственно, работающих при токе потребления от 12 мкА и разности входного и выходного напряжений не более
0,6 В. Погрешность начальной установки выходного напряжения 2 мВ, температурный коэффициент 8 ppm/°C, шумы 6 мкВ пик-пик от 0,1 Гц до 10 Гц и спектральная плотность шумов на 1 кГц составляет 420 нВ/Гц -1/2.

ПОЛУЧЕНИЕ МАКСИМАЛЬНОЙ ТОЧНОСТИ ЦАП И АЦП С ВНУТРЕННИМИ ИОНАМИ

Основной причиной применения в ЦАП и АЦП внешних прецизионных источников опорного напряжения — желание достичь максимально возможную точность. Если при этом используются приборы, имеющие встроенный источник опорного напряжения, следует учесть,что изготовители нередко используют заводскую подгонку коэффициентов передачи преобразователей, компенсируя таким путем отклонения напряжения внутреннего опорного источника от номинального значения, которая лежит в пределах не лучше 0,5…1%. Простая замена внутреннего источника внешним прецизионным может не только не дать положительного эффекта по абсолютной величине, но и привести к отрицательным результатам. Конечно, в этом случае временная и температурная стабильность будут улучшены, но для улучшения абсолютной точности преобразования в целом необходима коррекция мультипликативной погрешности, внесенной заводской подгонкой. Это обычно достигается подстройкой опорного источника. Такая подстройка в пределах ±3% предусмотрена во многих прецизионных приборах.

Рис.3. Схема коррекции выходного напряжения в REF102.

На рис.3 показана схема подстройкиREF102 в пределах ±25 мВ, если закоротить резистор 1 МОм, пределы регулировки расширятся до ±300 мВ.

ВЛИЯНИЕ ПИТАЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ, НАГРУЗКИ, ПОДВОДЯЩИХ ПРОВОДНИКОВ

При изменении питающего напряжения выходное напряжение ИОН также несколько изменяется, что необходимо учитывать. Иногда это изменение задается в абсолютных значениях, иногда в относительных. Этот параметр показывает, насколько должно быть стабилизировано входное напряжения ИОН для получения нужной точности.
Изменение выходного напряжения ИОН от тока нагрузки также можно найти в справочниках и они тоже могут быть заданы как в абсолютных, так и относительных единицах. Порядок этих величин для высококачественных последовательных ИОН от 20 ppm/мА (REF102) до 30 ppm/мА (ADR290). Применение внешних источников опорного напряжения в прецизионных преобразователях требует учета падения напряжения в подводящих опорное напряжение проводниках. Потребление по входу опорного напряжения АЦП и ЦАП часто имеет порядок нескольких миллиампер, а в случае АЦП прямого взвешивания (flash ADC) и более. Например, flash ADC TDC1035 фирмы Raytheon требует опорного напряжения 2 В при токе 35 мА. При сопротивлении проводников 0,1 Ом падение напряжения составит 3,5 мВ, что близко к гарантированной абсолютной погрешности АЦП — 3,9 мВ. Кроме пассивных мер, таких как снижение сопротивления проводников увеличением их ширины, некоторые прецизионные источники опорного напряжения (например MAX671, AD688) имеют встроенные средства борьбы с этим явлением путем перехода к четырехпроводной системе соединения с нагрузкой (схема Кельвина). При этом измерительные входы земли и обратной связи опорного источника соединены с нагрузкой отдельными проводниками. Упрощенная схема одного из таких приборов — MAX670, представлена на рис.4

Рис.4. 4-проводная схема (Кельвина) для уменьшения влияния подводящих проводников

Здесь выводы SENSE1 и GND SENSE1 используются для коррекции по выходному напряжению, а SENSE2 и GND SENSE2 для компенсации влияния тока нагрузки. Обычно выходной ток прецизионных ИОН составляет 5…30 мА, что в ряде случаев, например, для упомянутого выше TDC1035, недостаточно и необходимо использовать дополнительный внешний буфер. В случае схемы
Кельвина для повышения нагрузочной способности ИОН с минимальной потерей точности дополнительный буфер необходимо охватить общей с ИОН петлей обратной связи, как показано на рис.5.

Рис.5. Повышение нагрузочной способности с буфером в 4-проводной схеме Кельвина.

Другой полезный вариант увеличения выходного тока с применением дополнительного транзистора представлен на рис.6

Рис.6. Повышение нагрузочной способности с транзистором

При токе нагрузки до величины, создающей на резисторе R1 падения напряжения около 0.6В, при котором транзистор начинает открываться, ИОН работает по существу в обычном включении. Далее увеличение выходного тока ИОН увеличивается на базовый ток транзистора, а выходной ток устройства в целом на величину, умноженную на коэффициент усиления транзистора по току, который может составлять от нескольких десятков до нескольких тысяч. Такую схему нетрудно реализовать с близкой к схеме Кельвина топологией.

Иногда встречается необходимость использовать ИОН аналогично стабилитрону как ограничитель напряжения, т.е. с втекающим током. Никаких трудностей не возникает с двухвыводными приборами, которые имеют вольтамперные характеристики аналогичные Зенеровскому стабилитрону, хотя большинство из них относятся к bandgap приборам.
Обычно последовательный ИОН работает как источник положительного напряжения (с вытекающим током). Как правило, все такие приборы снабжены внутренним буфером, позволяющим работать как с вытекающим, так и втекающим током, однако для последнего максимально допустимое значения может быть намного меньшим. Например, у AD584 это 10 мА и 5 мА, а у REF02 даже 10 мА и 0,3 мА. Необходимо убедиться по данным изготовителя, что выбранный режим приемлем для прибора в режиме втекающего тока. При недостаточной величине последнего токовая характеристика прибора может быть смещена подключением на его выходе дополнительного источника втекающего тока или хотя бы резистора между его выходом и общим выводом (землей) или отрицательным источником напряжения.

ПОЛУЧЕНИЕ ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ ОПОРНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ

Чаще всего прецизионные источники опорного напряжения изготавливаются на положительные напряжения, хотя бывают и исключения, например, MX2701. Для получения отрицательных напряжений от источников положительных использование инверторов нежелательно, поскольку добавит погрешность инвертора. Возможно включение двухвыводного источника аналогично стабилитрону, т.е. необходимо подать на его отрицательный вывод отрицательный ток, хотя бы через резистор, подключенный от отрицательному источнику напряжения. Если необходимо использовать трехвыводную схему на положительные напряжения, ее выход должен быть заземлен, а на общий вывод прибора (обычно маркируемый как GND) с помощью источника тока или хотя бы резистора, подать отрицательный ток, достаточный для питания нагрузки и собственных нужд прибора. Следует убедиться, что напряжение между выводами входа и GND не превышает допустимой для прибора величины. В некоторые ИОН предусмотрены и другие варианты получения отрицательного напряжения.

Рис.7. Получение двухполярного опорного напряжения с AD688.

На рис.7 показана схема включения AD688 для получения двухполярного напряжения с помощью имеющихся в его составе дополнительных буферов. Следует помнить, что в случаях, когда требуется получить предельно возможную точность, нежелательно любое применения дополнительных элементов, даже расположенных на той же подложке.

СНИЖЕНИЕ ШУМОВ И УСТОЙЧИВОСТЬ

Для снижения шумов, в особенности высокочастотных, некоторые опорные источники имеют специальные выводы для подсоединения фильтрующих конденсаторов. На рис.8.

Рис.8. Снижение шумов подключением фильтрующих конденсаторов.

представлена упрощенная схема REF102. Поскольку основным источником шума является диод Зенера, подключение внешнего конденсатора 1 µF между выводами Noise Reduction и землей (Common) позволяет снизить шум с 800 мкВ до
200 мкВ от пика до пика (5 µV пик-пик в диапазоне 0,1 Гц…10 кГц). Определенного эффекта можно добиться включением конденсатора параллельно нагрузке. Следует учесть, что это может вызвать генерацию буфера, и проверить по данным изготовителя, какие максимальные емкостные нагрузки допускаются. Например, REF102 допускает всего 1 nF, хотя для других изделий той же фирмы допускается, и даже рекомендуется 1 µF.

ВРЕМЯ УСТАНОВЛЕНИЯ РАБОЧЕГО РЕЖИМА

Обычное время установления выходного напряжения источников опорного напряжения после подачи питания порядка 1…10 мс, высокоточные приборы также требуют некоторого времени, которое может достигать секунд, для
установления теплового режима, обеспечивающего точность, приведенную в справочных данных. Если требуется снизить время установления рабочего режима, необходимо выбрать тип прибора, рассчитанного на быстрый старт, и
минимизировать как емкостные нагрузки, так и фильтрующие емкости. Очень хорошие стартовые характеристики имеют например REF01 и REF02 — время установления до ±0,1% не более 5 мкс. Время установления теплового режима REF102 — не более 15 мкс (!).

ПОСТРОЕНИЕ ПРЕЦИЗИОННЫХ ИСТОЧНИКОВ ТОКА

Необходимость в прецизионных источниках тока встречается гораздо реже, чем в прецизионных источниках напряжения. Ввиду этого в номенклатуре многих производителей источники тока либо отсутствуют (Analog Devices, Maxim), либо представлены очень скупо — Burr-Brown — один тип с посредственными характеристиками
(REF200). Прецизионные источники тока обычно строятся на базе ИОН. Стандартное решение для питания заземленной нагрузки R L положительным током представлено на рис.9.

Рис.9. Стандартная схема построения прецизионного источника тока.

Операционный усилитель А охвачен токовой отрицательное обратной связью через полевой транзистор FET и резистор R1, определяющий величину тока стабилизации I REF , поступающего в нагрузку R L . Использование полевого транзистора необходимо для максимального уменьшения тока ответвления в цепь управления токозадающего элемента (здесь FET). Другую хорошую возможность представляют ИОН с малым потреблением тока, построенные на bandgap и XFET принципах. Такая схема представлена на рис.10.

Рис.10. Прецизионный источника тока на ИОНе

Величина тока стабилизации I OUT , поступающего в нагрузку здесь равна сумме токов через резистор R, подключенный к выходу ИОН и тока собственного потребления ИОН. Поскольку он может составлять 10…20 мкА, а его изменение от напряжения, приложенного между выводами ИОН IN и G имеет порядок 30 ppm/В, на этом принципе уже с величины тока порядка 1…2 мА может быть построен прецизионный источник тока.

КОРПУС И МОНТАЖ

Для получения максимальной точности и стабильности результатов следует также учитывать механические напряжения и равномерность распределения температуры в кристалле.
Механические напряжения создаются при монтаже кристалла в корпус по причине разных температурных коэффициентов расширения кристалла и корпуса и в результате передачи на кристалл деформаций печатной платы. Для снижения этих эффектов используются специальные технологические приемы, такие как введение в конструкцию прибора кремниевых или полимерных слоев со специальными свойствами. Для устранения остаточных напряжений рекомендуется также после получения микросхемы ИОН от поставщика неделю выдержать ее при температуре 100°C. Механические напряжения, возникающие при деформации печатной платы также могут играть существенную роль. Так, в описан случай, когда выходное напряжение изменилось от деформации печатной платы на 56 ppm. Поэтому при конструировании важно обеспечить гибкую механическую связь участка, где смонтирован ИОН с остальной печатной платой, как минимум не заглублять выводы ИС на всю глубину,
а лучше использовать специальные гибкие крепления. Наилучшие результаты получают с металлическими корпусами, которые не создают механические напряжения при монтаже кристалла. Тонкие внутренние проводники к проволочным выводам и сами эти выводы практически устраняют механическую связь с печатной платой, а металлическая оболочка увеличивает тепловую инерцию и равномерность распределения температуры по кристаллу. Хорошие результаты получены также с корпусами для поверхностного монтажа SO и SOT-23.

ЛИТЕРАТУРА:

  1. Schweber B. Investments in voltage references pays big system dividends. Electronic Design News, 1998, April, p.23.
  2. Государственный первичный эталон и Государственная поверочная схема для средств измерения электродвижущей силы и напряжения.
  3. Fluke Corporation, Catalog 1997/98.
  4. А. Боярин, Г.А. Владимиров, Т.В. Мишук, В.Н. Ярославский, Новое поколение эталонов высокого напряжения, Законодательная и прикладная метрология,1995, №5.
  5. Widlar R.J., New developments in IC voltage regulators. IEEE International Solid-State Conference,1970, Session FAM 13.3.
  6. Analog Devices, Designers’ Reference Manual, Winter 97/98 (CD).
  7. Burr-Brown Corporation, 1998 CD-ROM Catalog.
  8. Maxim, Program 1/98 (CD).
  9. Raytheon, Electronics Semiconductor Division, 1997 Data Book (CD).
  10. Kester W. Linear design seminar, Analog Devices Inc., 1995, Chapter 8.

Таблица 1. Производители прецизионных источников опорного напряжения

В статье рассматривается новое семейство прецизионных источников опорного напряжения (ИОН) из производственной линии Burr-BrownREF50xx . Эти ИОН выполнены по архитектуре бэндгап, но по характеристикам начального разброса, температурного дрейфа и шума способны конкурировать с другими лидирующими по уровню прецизионности архитектурами.

Источники опорного напряжения являются важной составной частью любого цифрового оборудования с функцией ввода/вывода аналоговых сигналов. Параметры этого прибора напрямую влияют на уровень рабочих характеристик конечной продукции. Возможностей встроенного в микроконтроллеры ИОН, при работе во всем рабочем диапазоне температур, хватит в лучшем случае на обеспечение 8-битной разрешающей способности. Например, чтобы обеспечить точность работы в 1/2 м.з.р. интегрируемого во многие микроконтроллеры 10-битного АЦП необходимо, чтобы диапазон изменения выходного напряжения ИОН не превышал 1,22 мВ (для ИОН на напряжение 2,5 В). В случае встроенного ИОН, который не предусматривает возможности подстройки выходного напряжения, в этот уровень должно уложиться изменение выходного напряжения, вызванное влиянием как температурного дрейфа, так и начального разброса. Таким образом, при обоснованном подходе к выбору ИОН для применений с 10-битной и более разрешающей способностью преобразования, скорее всего, возникнет потребность в применении внешнего ИОН. К дополнительным преимуществам такого выбора также относятся:

Возможность выбора ИОН с подходящим к заданным условиям применения выходным напряжением, меньшим уровнем шума, функцией аналоговой подстройки выходного напряжения, другими вспомогательными функциями и пр.;

Возможность работы не только совместно с АЦП/ЦАП, но и с внешней аналоговой схемой сопряжения;

Более высокая нагрузочная способность;

Возможность лучшей изоляции от влияния потребляемого цифровыми ИС тока.

Первый интегральный ИОН был разработан в 1969 году легендарным изобретателем и виртуозом транзисторных схем Робертом Видларом (в то время сотрудником National Semiconductor) в ходе работы над первым однокристальным 20-ваттным линейным стабилизатором напряженияLM109. Позже, в 1971 году, Видлар совместно с еще одним легендарным разработчиком Робертом Добкиным разрабатывают первый монолитный ИОНLM113. Этот ИОН получил название «бэндгап» (или ИОН на разности база-эмиттерных напряжений). Он был двухвыводным прибором и включался в схему по типу стабилитрона. Даже сейчас многие разработчики предпочитают называть ИОН этого типа программируемыми стабилитронами и обозначать их на схеме как стабилитроны, хотя правильнее их называть «ИОН параллельного (или шунтового) типа», что указывает на подключение параллельно нагрузке. Некоторые ИОН этого типа, например, TL431 компании Texas Instruments, выпускаются уже много лет и по-прежнему сохраняют свою популярность. Более совершенный, с точки зрения прецизионности, последовательный тип бэндгап ИОН был предложен Полом Брокау в конце 1970-х и выпускался компанией Analog Devices под наименованиемAD580. Он отличался 3-выводным подключением (по типу стабилизатора напряжения), позволял с помощью резистивного делителя напряжения устанавливать требуемое выходное напряжение (с использованием развивающейся в то время технологии лазерной подгонки параметров) и допускал возможность протекания выходного тока в обоих направлениях. Именно этот тип ИОН, ввиду оптимального соотношения «цена - качество» и сравнительной доступности в широком числе исполнений, со временем стал наиболее распространенным и выпускается в настоящее время множеством производителей.

Одним из лидеров в области разработки и производства бэндгап ИОН является компания Texas Instruments (TI). Одна из ее недавних разработок, серия REF50хх, стала настоящим прорывом для ИОН типа бэндгап, т.к. теперь по совокупности рабочих характеристик и степени прецизионности их можно поставить на одну ступеньку с лидирующими на данный момент архитектурами XFET компании Analog Devices и FGA компании Intersil (последняя архитектура была разработана в 2003 году компанией Xicor, год спустя вошедшей в состав Intersil; ее принцип действия идентичен ЭСППЗУ, но для хранения данных не в двоичной форме, а в аналоговой). Убедиться в этом поможет таблица 1, где представлены характеристики представителей семейства REF50xx и лучших ИОН с выходным напряжением 2,5 В, выполненных по технологиям FGA, XFET и стабилитрона со скрытым пробоем.

Таблица 1.Основные характеристики ИОН семейства REF50xx и лучших конкурирующих решений

Семейство REF50xx Сравнение с лучшими
конкурирующими
решениями (V OUT = 2,5 В)
REF5020 REF5025 REF5030 REF5040 REF5045 REF5050 ISL21009 ADR291 MAX6325
Архитектура Бэндгап, последовательный тип FGA XFET Стабили-
трон со скрытым пробоем
Выходное напряжение V OUT , В 2,048 2,5 3 4,096 4,5 5 2,5 2,5 2,5
Начальный разброс (25°С), % 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,08 0,04
Макс. ТК, ppm/°C 3 3 3 3 3 3 3 3 1
Макс. ток нагрузки I OUT , мА 10 10 10 10 10 10 7 5 15
Собственный потребляемый ток I Q , не более, мкА 1000 1000 1000 1000 1000 1000 180 12 3000
Входное напряжение V IN , В 2,7...18 2,7...18 3,2...18 4,296...18 4,7...18 5,2...18 3,5...16,5 2,8...15 8...36
Размах напряжения шума eN (0,1...10 Гц), мкВ 6 7,5 9 12 13,5 15 4,5 8 1,5
Корпус 8-SOIC 8-SOIC, 8-TSSOP 8-DIP/SOIC
Рабочий температурный диапазон, °C -40 ...125 -40...85

Знакомство с семейством REF50xx

Как следует из таблицы 1, семейство REF50xx состоит из шести ИОН, различающихся уровнем выходного напряжения. Кроме того, каждый из этих ИОН доступен в двух исполнениях: повышенной точности (характеристики представлены в таблице 1) и стандартном. Точностные характеристики стандартного исполнения примерно в два раза хуже, чем у исполнения повышенной точности.

Все виды и исполнения ИОН доступны в 8-выводных корпусах двух типов: SO и MSOP. Расположение выводов представлено на рисунке 1а.


Рис. 1.Расположение выводов и упрощенная структурная схема ИОН REF50xx

Здесь же, на рисунке 1б, показана упрощенная структурная схема ИОН REF50xx.

Основой ИОН REF50xx является элемент бэндгап на напряжение 1,2 В. Это напряжение затем буферизуется и масштабируется до требуемого выходного уровня с помощью неивертирующего усилительного каскада, выполненного на основе прецизионного операционного усилителя (ОУ). Предусмотрена возможность влияния на коэффициент передачи этого усилительного каскада через вывод TRIM. Подключение потенциометра к этому выводу позволяет корректировать выходное напряжение в пределах ±15 мВ. Еще одной дополнительной возможностью REF50xx является возможность контроля температуры кристалла через вывод TEMP. Напряжение на этом выводе зависит от температуры (выражение этой зависимости показано на рисунке 1б). Важно обратить внимание на то, что функция контроля температуры больше подходит для контроля изменений температуры, чем ее абсолютного значения, т.к. погрешность измерения достаточно велика и составляет приблизительно ±15°С . Тем не менее, данная функция вполне применима в схемах температурной компенсации аналоговых каскадов. Выход TEMP является высокоомным, поэтому при работе со сравнительно низкоомными нагрузками потребуется его буферизация с помощью ОУ, обладающего малым температурным дрейфом. Производитель рекомендует использовать для этих целей ОУOPA333, OPA335 илиOPA376.

Обзор рабочих характеристик

Начальный разброс

Величина начального разброса демонстрирует, насколько может отклониться выходное напряжение ИОН относительно номинального значения сразу после подачи питания и при комнатной температуре (25°С). Как уже упоминалось, ИОН REF50xx выпускаются в двух исполнениях с начальным разбросом 0,05% (50 ppm) и 0,1% (100 ppm). Таким образом, начальный разброс даже стандартных исполнений отвечает требованиям систем с разрешающей способностью не меньше 12 бит и погрешностью преобразования 1 м.з.р. (для диапазона преобразования 2,5 В этим условиям эквивалентна разрешающая способность 610 мкВ, а у ИОН 2,5 В ±0,01% выходное напряжение отклоняется на величину не более 250 мВ). Если же задействовать возможность подстройки выходного напряжения, то, без учета прочих ограничений (температурный дрейф, шум), разрешающая способность может быть расширена до 16 бит.

Температурный дрейф (температурный коэффициент, ТК)

Данная характеристика показывает, насколько изменится выходное напряжение при изменениях температуры. ИОН REF50xx характеризуются очень малым ТК, который составляет 3 ppm/°C у исполнений повышенной точности и 8 ppm/°C у стандартных исполнений. Значение ТК 8 ppm/°C для ИОН напряжением 2,5 В означает, что при работе в температурном диапазоне шириной 100°С (например, -25...75°С) выходное напряжение ИОН будет изменяться на величину 2,0 мВ. Из этого следует, что ТК рассматриваемых ИОН вполне достаточно для обеспечения 10-битной разрешающей способности в широком диапазоне температур с погрешностью преобразования 1/2 м.з.р., а добиться более высокого разрешения можно только в более узком диапазоне температур. Для 16-битной системы с погрешностью преобразования 1/2 м.з.р. допускается относительное изменение напряжения всего лишь на 7,6 ppm (0,00076%). Таким образом, ИОН REF50xx смогут добиться такой точности лишь в полностью статических температурных условиях (отклонение не более 1...2°С). В 14-битной системе при прочих равных условиях REF50xx уже смогут обеспечить требуемую точность при колебаниях температуры до 10°С, в 12-битной - 40°С, в 10-битной - 160°С.

Выходное напряжение любого ИОН имеет шумовую составляющую. Шум, особенно низкочастотный, может затруднить измерение напряжения с высокой разрешающей способностью и/или с высоким быстродействием. Типичные значения размаха напряжения шума в диапазоне частот 0,1...10 Гц приведены в таблице 1 (распространяются и на стандартные исполнения). Данные значения вполне адекватны требованиям систем с разрешающей способностью до 14 бит включительно и погрешностью преобразования 1/2 м.з.р.

Нестабильность по входу и нагрузке

Данные характеристики позволяют оценить, насколько изменится выходное напряжение при колебаниях входного напряжения и тока нагрузки. Нестабильность по входу у всех ИОН REF50xx составляет не более 1 ppm/В, а по нагрузке - 50 ppm/мА (во всем рабочем диапазоне температур). Нестабильность по нагрузке можно также трактовать как выходное сопротивление ИОН, т.е. 50 ppm/мА означает, что выходное сопротивление ИОН на напряжение 2,5 В равно 2,5 × 50 =125 мОм.

Максимальный выходной ток

Несмотря на то, что ИОН REF50xx допускают протекание на выходе как втекающего, так и вытекающего тока величиной до 10 мА, желательно не использовать ИОН на пределе его возможностей. При работе с токами, близкими к предельным, не исключены самонагрев кристалла ИОН и возникновение вдоль микросхемы тепловых градиентов, негативно влияющих на точность и стабильность системы. Также важно заметить, что ИОН REF50xx оснащены защитой выхода от короткого замыкания с линиями питания (ток к.з. ограничивается на уровне 25 мА), что делает их более надежными приборами.

Диапазон напряжения питания

ИОН REF50xx рассчитаны на работу в достаточно широком диапазоне напряжения питания: от 2,7 В у самых низковольтных приборов до 18 В. Однако эти характеристики не следует трактовать как возможность работы от нестабилизированного напряжения, т.к. чтобы добиться прецизионных характеристик, ИОН лучше питать с выхода линейного стабилизатора напряжения, который примет на себя решение многих проблем, связанных с фильтрацией шума, подавлением переходных процессов на входе питания и др. Нижняя граница диапазона напряжения питания определяется еще одной характеристикой - минимально-допустимым перепадом напряжения. Его величина зависит от тока нагрузки и температуры, и при наихудших условиях (10 мА, 125°С) составляет чуть более 700 мВ. Если, исходя из озвученных выше рекомендаций, обеспечить работу с током, вдвое меньшим относительно максимального (т.е. 5 мА), то величина минимального перепада напряжения будет лежать в пределах 0,3...0,4 В в диапазоне температур 25...125°С, соответственно.

Потребляемый ток

ИОН REF50xx характеризуются достаточно большим потребляемым током, если сравнивать с конкурирующими технологиями FGA и XFET, что видно из таблицы 1. Столь высокое потребление свойственно другой прецизионной архитектуре: ИОН на стабилитроне со скрытым пробоем. Таким образом, применение REF50xx ограничено в приложениях с батарейным питанием, где требуется непрерывная работа ИОН. Однако и в приложениях с периодической работой ИОН существует еще одно ограничение - время установления после подачи питания. У REF50xx оно достаточно большое: при работе с нагрузочным конденсатором 1 мкФ типичное значение времени установления равно 200 мкс. Таким образом, эти ИОН больше подходят для работы в составе стационарной прецизионной аппаратуры, для которой более низкая себестоимость продукции более важна, чем характеристики энергопотребления.

Типичные применения и схемы включения

Как уже упоминалось, ввиду достаточно большого энергопотребления, но и сравнительно небольшой стоимости, ИОН семейства REF50xx идеальны для работы в составе высокоточного стационарного оборудования с разрешающей способностью преобразования до 16 бит, в т.ч.:

Системы сбора данных;

Автоматизированное испытательное оборудование;

Устройства промышленной автоматики;

Медицинское оборудование;

Прецизионные контрольно-измерительные приборы.

Базовая схема включения, которая не предусматривает использование функций контроля температуры и подстройки выходного напряжения, показана на рисунке 2а. В этой конфигурации ИОН дополняется снаружи всего лишь двумя компонентами: блокировочный конденсатор на входе емкостью 1...10 мкФ и нагрузочный конденсатор на выходе емкостью 1...50 мкФ. Нагрузочный конденсатор должен относиться к типу «low ESR», т.е. обладать малым эквивалентным последовательным сопротивлением. При необходимости подстройки выходного напряжения, эту схему необходимо дополнить схемой на рисунке 2б. Важно понимать, что использование недорогого резистора типа «сermet» в качестве подстроечного может привести к ухудшению ТК ИОН, т.к. ТКС этого резистора превышает 100 ppm. Более предпочтительно использовать прецизионные проволочные или металло-фольговые типы подстроечных резисторов с 5%-ым допуском на сопротивление и ТКС менее 50 ppm.


Рис. 2.Схемы включения REF50x: базовая (а), с подстройкой выходного напряжения (б)
и в составе 16-битной системы сбора данных: с однополярным (в) и двуполярным (г) входом

На рисунке 2 в можно увидеть пример построения входного каскада одноканальной 16-битной системы сбора данных с входным диапазоном 0...4 В . Здесь входной сигнал буферизуется прецизионным ОУOPA365, включенным по схеме неинвертирующего усилителя-повторителя. Далее сигнал фильтруется RC-цепью и поступает на вход 16-битного АЦПADS8326. Измерительный диапазон задается ИОНREF5040 на напряжение 4,0 В. Благодаря поддержке ОУ полного размаха напряжения на входе и выходе (тип rail-to-rail) и малому минимальному перепаду напряжения ИОН, схема способна работать от 5-вольтового источника питания.

Еще один пример, но уже для преобразования двуполярного сигнала в диапазоне ±10 В, показан на рисунке 2г. Схема отличается применением во входном каскаде инструментального усилителяINA159, который выполняет преобразование двуполярного диапазона ±10 В в однополярный 0...4 В. В качестве АЦП используется 16-битный АЦП с однополярным входом и частотой преобразования до 1 МГцADS8330.

Несмотря на то, что ИОН семейства REF50хх выполнены по архитектуре бэндгап, они обладают столь высокой прецизионностью, что их можно поставить в один ряд с такими лидирующими архитектурами, как стабилитрон со скрытым пробоем, XFET и FGA.

В семейство входят шесть ИОН на различные выходные напряжения в диапазоне от 2,048 до 5 В. Кроме того, каждый из этих ИОН доступен в двух исполнениях: стандартном и повышенной точности. Все ИОН поддерживают возможность подстройки выходного напряжения и контроля температуры.

Существенными недостатками ИОН являются их высокое энергопотребление (1 мА) и большое время установления после подачи питания (200 мкс), что ограничивает возможность их применения в критичных к уровню энергопотребления системах. Производитель указывает на возможность применения ИОН в системах с разрешающей способностью до 16 бит включительно.

Для нормальной работы АЦП МК необходим источник опорного напряжения (ИОН). Если использовать внутренний ИОН, то могут возникнуть проблемы с его низкой температурной стабильностью и большим технологическим разбросом номинального напряжения. Для точных измерений (в том числе с нестандартными опорными напряжениями) практикуют подключение внешнего ИОН к выво-ду KREF МК. Состоять он может из дискретных элементов (Рис. 4.7, а...и) или из интегральных микросхем (Рис. 4.8, а...к).

Рис. 4.7. Схемы подключения внешних ИОН на дискретных элементах {начало):

а) МК(1) использует для своих измерений внутренний ИОН. Его выходное напряжение KRRF является внешним ИОН по отношению к МК(2). Достоинство — синхронизация измерений;

б) VD1 — это прецизионный стабилитрон «Shunt Voltage Reference» (фирма Analog Devices) с точностью поддержания выходного напряжения ±0.1%. Фильтр R2, C1 снижает ВЧ-помехи. При переходе на повышенное питание +5 В необходимо заменить резистор R1 (2.94 кОм). Для снижения потребляемого тока можно увеличить сопротивление резистора R1 до 34.8...41.2 кОм;

в) VD1 — это широкодиапазонный стабилитрон «Adjustable Voltage Reference» фирмы National Semiconductor. Резистор RI задаёт ток через VDI в пределах 0.01...20 мА. Если вместо LM385-2.5 поставить LM4040-4.1 и увеличить резистор до 10 кОм, то KREF станет равным +4.096 В;

г) регулируемый ИОН с плавной юстировкой напряжения многооборотным резистором R3

д) VD1 — это трёх вы вод ной стабилитрон «Programmable Shunt Regulator» (серия «431»). Двухполюсное включение VD1 определяет опорное напряжение +2.5 В (или +1.25 В в серии «1431»);

е) опорное напряжение +4.9 В поступает с выходной линии МК. Такое включение полезно при тестах (НИЗКИЙ/ВЫСОКИЙ уровень) и для удобства разводки печатной платы;

Рис. 4.7. Схемы подключения внешних ИОН на дискретных элементах (окончание):

ж) регулируемый ИОН на основе трёхвыводного стабилитрона VD1 серии «431». Опорное напряжение определяется по формуле KREF[B] = 2.5-(1 + Я,[кОм]/Я2[кОм]);

з) напряжение KREF близко к напряжению питания. Из особенностей — двухступенчатая фильтрация помех при помощи элементов L1, C1 и RI, С2, СЗ;

и) на вход VREF подаётся опорное напряжение, которое чуть больше напряжения питания Усс МК. Это обеспечивает широкий динамический диапазон измерений, но надо следить, чтобы разница между КЕРи Усс не превышала 0.2 В. Если поставить стабилитрон VDI LM4040DIZ-5.0, то опорное напряжение уменьшится до +5.0 В, а точность установки улучшится с 5 до 1 %.

Рис. 4.8. Схемы подключения внешних ИОН на микросхемах (начало):

а) использование низковольтного стабилизатора напряжения DA1 в качестве ИОН;

б) точность установки опорного напряжения составляет 2.4% (5.00 В ± 120 мВ). Замена стабилизатора DAI — 78L05. Конденсаторы C1 и С2 необходимо располагать возле выводов DA /;

в) точность установки опорного напряжения DA 1 составляет 0.05% (5.00 В ± 2.5 мВ), температурная стабильность 5 ррт/°С (25 мкВ на один градус);

г) двухступенчатый стабилизатор (VDI, DAI). Точность установки опорного напряжения DAI (фирма Intersil) составляет 0.01% (5.00 В ± 0.5 мВ), температурная стабильность 5 ррш/°С;

Рис. 4.8. Схемы подключения к МК внешних ИОН на микросхемах (окончание):

д) плавно регулируемый ИОН в пределах 0...+3 В. Замена стабилизатора DA1 аналогичным, нос другим выходным напряжением (+2.5...+5 В), задаёт верхний предел регулирования;

е) повышенная стабильность ИОН благодаря генератору тока на микросхеме DA1. Ток через трёхвыводной стабилитрон VDI (1...8 мА) определяется по формуле /[мА] = 1.25 /[кОм];

ж) программно регулируемый ИОН 0...+5 В на микросхеме DA1 фирмы Microchip. Функционально это дискретный 6-битный переменный резистор с крайними выводами «А», «В» и средним выводом «W». Сопротивление от 2.1 до 50 кОм. Буферным повторителем служит ОУ DA2;

з) оперативная смена двух напряжений. Высокоточный ИОН на микросхеме DA1 (фирма Analog Devices) выдаёт напряжение +2.5 или +3 В в зависимости от положения перемычки SL Фильтр LI, CI снижает помехи по питанию;

и) вывод KREF МК соединяется с линией питания, которая и служит внешним ИОН. Напряжение питания регулируется резистором R3. Значение +5.12 В выбрано не случайно. Это сделано для того, чтобы при 10-битном АЦП МК цена одного деления составляла ровно 5 мВ;

к) регулируемый ИОН с повышенной нагрузочной способностью на основе повторителя DA1. Выходное напряжение +2.5 В может использоваться для средней точки других ОУ.

Всем привет!

Сегодняшний обзор будет посвящен высокоточному источнику опорного напряжения AD584 - 4-канальному модулю, выдающему напряжение 2,5В, 7.5В, 5В и 10В. Основное предназначение этого устройства - проверка мультиметров на точность. Как не трудно догадаться, при ее помощи проверяется точность вольтметров, другие режимы работы мультиметров с ней никак не связаны.

Так уж вышло, что у меня в домашнем хозяйстве основной, часто использующийся, мультиметр - HYLEC MS8232. В принципе, он меня всем устраивает и полностью подходит под все домашние нужды. Единственное, максимальный ток, который он может измерять в режиме амперметра - 200 мА, что очень мало. Потому для измерение более высоких токов, есть у меня еще и A830L, который стоит раза в два дешевле. Но какой из них более точный? Для того, чтобы дать ответ на этот вопрос как раз и пригодится данная плата. Кроме того, при ее помощи любой сможет проверить свой мультиметр на точность отображаемых данных, во всяком случае, в режиме вольтметра.

Итак, продавец на eBay был выбран совершенно случайно. На момент покупки плата стоила $5.05, сейчас она немного подорожала и стоит $5.42. Думаю, можно найти и более бюджетные варианты, хотя итак не дорого. После переписки с продавцом была достигнута договоренность о том, что посылка будет отправлена с треком (пришлось доплатить еще 2$). Если кому-нибудь интересно узнать как посылка путешествовала из Китая в Беларусь, то узнать всю информацию можно .

Поставляется плата в запаянном со всех сторон пакете.


В живую, наш «контрольный прибор» мало чем отличается от того, что можно увидеть на страничке продавца и в живую выглядит следующим образом:


Здесь мы видим два разъема для подключения питания: один для батареек, а второй для обычного блока питания. Есть красный переключатель ON/OFF, назначение которого итак понятно. Слева от выключателя расположены четыре регулятора выходного напряжения. Каждый из них подписан, так что что-то сделать не так трудно. Переключение напряжения осуществляется посредством перестановки перемычек:) А-ля, привет из 90-х.


Зато вспомнил времена, когда для подключения винчестера в том или ином режиме приходилось осуществлять очень похожие манипуляции:) Есть модели и с более продвинутым вариантом переключения напряжения, но поскольку пользоваться платой каждый день я не планирую, то и такой вариант для меня сгодится. В самом низу платы расположены контактные площадки для подключения мультиметров. Их по 2 шт., то есть 2 плюсовые и 2 минусовые. Помимо того, что они подписаны, так еще и цветом обозначены - спутать ну очень трудно, хотя даже если это и случится, то ничего страшного не произойдет. Внутренние контакты удобно использовать для щупов, а наружные для крокодилов или подключения проводов.

Помимо самой платы в пакете изначально была небольшая бумажка с контрольными значениями. К сожалению, ни на один кадр она не попала:(Ничего особо интересного в ней нет - уточненные данные по значениям напряжения, не более. Выглядела она примерно так (фото взято из интернета):


В основе всей этой конструкции расположен восьмиконтактный модуль прецизионного напряжения AD584LH.


Плата с односторонним расположением элементов, так что на другой ее стороне ничего интересного нет.


Размеры платы 56х56 миллиметров. Пожалуй, это последнее, что можно рассказать о ее внешнем виде и устройстве. Так что можно переходить к проверке ее работоспособности, но, думаю, сперва будет не лишним ознакомить вас с ее особенностями и характеристиками:

1. Использование батареи 15 В в качестве источника питания позволит получить наиболее точные данные;
2. Плата имеет четыре программируемых клеммы, каждая из которых соответствует выходному напряжению. Переключение осуществляется путем замыкания соответствующей клеммной колодки. Поскольку AD584 является восьмиконтактным, то замыкание каждого контакта влияет на выходное напряжение, чтобы уменьшить сопротивление замыкания, два параллельно соединяются два вывода;
3. Температурный коэффициент: 5 ppm / ° C (максимум, от 0 ° C до 70 ° C, AD584L) 15 ppm / ° C (максимум, от -55 ° C до + 125 ° C, AD584T);
4. Потребляемая мощность: Статический ток: 1 мА (макс.), Низкий ток покоя идеально подходит для батарей;
5. Рабочее напряжение: от 4,5 В до 30 В, обратите внимание, что рабочее напряжение должно быть выше запрограммированного выходного напряжения;
6. Температурный диапазон: AD584J / K / L от 0 ° C до + 70 ° C, AD584S / T, от -55 ° C до + 125 ° C. 7. Внешнее электропитание - напряжение должно быть больше 11В;
8. Два вида интерфейс выходного сигнала опорного напряжения отлично подходят как для проверки мультиметров, так и для калибровки других приборов;
9. Каждая плата на заводе проверяется с помощью 6-разрядного мультиметра.

Как-то так. Ну что же, начнем. В проверке будут участвовать сама плата, выпрямитель в качестве источника питания, а так же два мультиметра (HYLEC MS8232 и A830L) в качестве испытуемых.


Подключаем питание к контактам батарейной площадки, переключаем «рубильник» в положение ON и видим что на плате загорается красный диод, информирующий нас о том, что ей можно пользоваться.


Питание на контактных площадках батарейного отека - 12,96В, чего более чем достаточно для проверки платы во всех режимах.


Поскольку по молчанию на плате выставлено напряжение в 10 В, то именно с него и начнем. Сперва HYLEC MS8232:


Подключаем A830L:


Разбежка в показаниях мультиметров 0,04В - не так уж и много. Но обобщим полученные данные немного позже.

Переключаем перемычки на 7,5В. HYLEC MS8232:


A830L:


Следующие на очереди 5В. HYLEC MS8232:


A830L:


И последний режим проверки - 2,5В. HYLEC MS8232:


A830L:


Итак, видно, что чем выше напряжение, там больше разнятся данные, снятые с мультиметров: на 2,5В - 0,01В, на 5В - 0,02В, на 7,5В - 0,02В и на 10В - 0,04В. Причем данные HYLEC MS8232 стабильны и отлично подпадают под данные, имеющиеся на комплектной бумажке. А вот у A830L не все так хорошо - чем выше напряжение, там дальше он уходит от правдивых показаниях. И если на 10В разница не такая уж и большая, то на 200-220В она будет заметна довольно ощутимо.

Подводя итог всему, что тут было написано, могу сказать, что наш источник опорного напряжения AD584 неплохо справился с поставленными перед ними задачами. Теперь я знаю какой мультиметр врёт, а так же знаю примерную прогрессию отклонений. Помимо проверки мультиметров, AD584 может сгодится и для проверки USB (и не только) тестеров, если обзавестись подходящим кабелем и подключить его к выходным площадкам. Главное не забывать, что входное напряжение должно быть выше выходного. Так что данная плата может быть полезна в домашнем хозяйстве тем, кто хочет быть уверенным в точности имеющихся у него приборов, способных отображать уровень напряжения в сети.

На этом, пожалуй, все. Спасибо за внимание и потраченное время.

Известные отечественные интегральные источники опорных напряжений (ИОН) заметно уступают зарубежным, которые отличаются большим разнообразием, включая высокоточные малогабаритные, а также мощные как одной полярности выходных напряжений, так и двух полярностей. Широко распространены трехвыводные стабилизаторы, имеющие только вход, выход и вывод на общую шину. Существуют преобразователи батарейного питания в стабилизированное напряжение (в том числе и более высокое, чем входное), экономичные преобразователи - в повышенное и пониженное напряжение, преобразователи положительного напряжения - в отри нательное, и т. д. .

Для управления СУЛИ наибольший интерес представляют прецизионные ИОН. Широко доступны для потребителя источники опорного напряжения,

гарантирующие долговременную нестабильность не более 2 * 10 -5 за 10 3 ч

и температурный дрейф не более 3-КГ 6 / К (/Ш780?А Г) либо соответственно

5 10 -5 за 10 3 чи 1...2,5 10" 6 /АТ (ЯЕЛ02) .

Прецизионные ИОН следует применять для формирования напряжений, которые определяют режим работы схемы (опорное напряжение для АЦП, задание рабочей точки, регулировка напряжения и т. п.). Применение для этих целей напряжений питания блока некорректно. Поясним эту мысль. В последнее время широко распространены магистрально-модульные системы, в которых устройство состоит из стандартного корпуса с отдельными модулями. Этот корпус снабжен источником питания и шинами для передачи сигналов и питающих напряжений на модули и обратно. Разбиение системы на модули осуществляется из соображений функциональной законченности (что позволяет их унифицировать) и минимизации количества передаваемых сигналов между ними. Например, могут быть выделены в отдельные модули источники различных сигналов, ЦАП, АЦП, синхронные детекторы, регуляторы и т. д. Такое разбиение позволяет быстро создавать новые системы из набора стандартных модулей, а также модифицировать созданные системы, перерабатывая лишь ее отдельные части. Как правило, для питания модулей используют лишь низкие напряжения (от 6 до 24 В обеих полярностей), что обеспечивает безопасность работы с такими сис темами и простоту их отладки для модификации и испытания вновь созданных систем без дополнительных специальных мер: работать с печатной платой, на которую подведено нс более ±24 В, совсем нс то же самое, что настраивать устройство, питающееся непосредственно из сети ~220 В. Источники питания при этом едины для всей системы, расположены они непосредственно в корпусе (как в системе КАМАК) или в отдельных вставляемых модулях (как в системе МиШ-ВЦЗ). Эти напряжения стабилизируются. Поэтому велик соблазн для разработчиков системы использовать эти напряжения без дополнительной стабилизации. Для питания цифровых микросхем (кроме ЭСЛ) и некоторых аналоговых микросхем, таких как операционные усилители, ключи, УВХ, генераторы, таймеры и т. п., стабильность этих напряжений может оказаться достаточной. Однако некоторые узлы требуют особо высокой стабильности (точности) формирования их выходных параметров. Прежде всего это относится к опорным напряжениям для АЦП, ЦАП, компараторов, питания измерительных мостов, стабильных генераторов, стабильных таймеров, микросхем серии ЭСЛ и т. д. Рассмотрим, например, систему, содержащую два модуля, как показано на рис. 4.41.

Даже если блок питания системы формирует питающее напряжение с высокой точностью, проводники, доставляющие это напряжение в модули, обладают ненулевым сопротивлением. В этом случае включение в блок дополнительного узла или изменение потребляемой мощности любого другого узла в блоке может вызвать изменение напряжения питания и повлиять на работу данного узла. Перестановка узла в другой идентичный блок также в этом случае потребует новой настройки узла или даже всей системы. Источник опорного напряжения (ИОН) непосредственно на плате по месту потребности стабильного напряжения устраняет эту проблему.

Рис. 4.41.

Отечественные источники опорных напряжений представлены серией КР142 и некоторыми другими сериями, содержащими источники на фиксированные положительные напряжения: КР142ЕН5А(Б, В, Г), КР142ЕН8А(Б, В, Г), КР142ЕН9А(Б, В, Г), источники отрицательного напряжения КР142ЕН10, регулируемые однополярные источники КР142ЕН12, регулируемые двухполярные источники КР142ЕН6, и т. д. . Основные параметры отечественных ИОН представлены в табл. 4.10 и 4.11.

Таблица 4.10

Характеристики интегральных стабилизаторов

Тип стаби- лизатора

№х- - ^вых} шт

Лют

Окончание табл. 4.10

Тип стабилизатора

№х- - ?4ых} піт

Лют

2Х(14,5... 15,5)

2Х(14,5... 15,5)

Таблица 4.11

Характеристики популярных интегральных стабилизаторов

Тип сгабили- затора

{^вх- - ^вых} П11П

Лют

Таблица 4.12

Параметры микросхемы Л/)780

Окончание табл. 4.12

Прецизионный источник опорного напряжения Л?)780 позволяет задавать опорное напряжение с высокой точностью и измерять температуру. Эта микросхема может применяться для создания прецизионных источников тока полупроводникового лазера и в системах термостабилизации лазеров всех типов. Ее электрические параметры даны в табл. 4.12.